【快播报】安森美半导体推出採用极紧凑低厚度封装的业界最小MOSFET

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安森美半导体功率MOSFET产品分部副总裁PaulLeonard说：「由于可携式电子产品的尺寸持续缩小，同时其板载特性持续增多，故无论是现在或未来将继续存在针对超小型、高性能元件的持续需求，从而使特性丰富的随身携带型设备具有高能效及高功能性。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ恰好配合此需求，使设计工程师能够指定使用具有所需特性及功能，同时还支援消费者如今期望的纤薄时尚型设计的设备。」 1.44 mm²)。 NTNS3193NZ是一款20伏(V)、单N沟道、门极至源极电压(VGS)为±4.5 V时典型导通阻抗(RDS(on))为0.75 Ω的元件。这元件与NTNS3A91PZ相辅相成，后者是一款20 V、单P沟道器件，VGS为±4.5 V时典型导通阻抗为1.3 Ω。 这两款新MOSFET由于具有低导通阻抗、低阈值电压及1.5 V门极驱动能力，整合在可携式电子产品中时大幅降低能耗，使它们非常适合于小信号负载开关、类比开关及高速介面应用。两款元件都完全无铅、无卤素及符合RoHS指令。 价格NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ 每批量8,000片的单价分别为0.33和0.35美元。 关于安森美半导体